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數(shù)字萬用表|SDT-21B|

數(shù)字萬用表|SDT-21B|

是萬用表的基本功能之一，吃透電阻測量的原理可開拓萬用表測量元件的巨大潛力。電阻測量通常分為低阻測量和高阻測量。低阻測量分4個量程：Rx1、Rx10、Rx100、RxK，測量范圍從0~500kΩ以上。高阻測量為RX10K。測量范圍從10kΩ~5MΩ以上。低阻測量時，內(nèi)電池電壓多數(shù)為15V(如MF-500MF47等)也有3V的(如DE-960TR)。高阻測量時內(nèi)電池電壓多數(shù)為9V也有個別15V的。

所有電阻量程都共同使用一條刻度幾乎所有指針式萬用表都將這條刻度放在表盤的最上面。指針處在中央位置時，這個數(shù)值就叫中心阻值。如MF-500的中心值為10，DE-960TR中心值為20等。掌握這個數(shù)值和各擋使用的內(nèi)電池電壓時，就能計算出電阻各擋對應(yīng)的測試電流。低阻測量的4個量程，每個量程使用的測量電流都不同。與高一擋位相比，是10倍的關(guān)系。以MF-500型萬用表為例因其低阻測量的4個量程內(nèi)電池電壓為15V電阻刻度的中心值為10。可求得Rx1擋的滿度電流為150mA；RX10擋的滿度電流為15mA；Rx100擋的滿度電流為1.5mA；RxK擋的滿度電流為150uA；Rx10K檔，內(nèi)電池電壓為9+1.5=10.5V，此時滿度電流為105uA。明白各擋使用的內(nèi)電池電壓以及各擋對應(yīng)的滿度電流對測量電子元件非常重要。

如測量電容器的充放電特性時，對大容量的電容要使用低阻量程；對小電容要使用Rx10K量程。測量可控硅的維持電流時要使用低量程，為其提供最大的測試電流。測試絕緣柵型的場效應(yīng)管GBT管或高壓硅堆時，要使用Rx10K量程，才能為其柵極提供5V以上的門坎電壓。測量發(fā)光二極管或光電耦合器的二極管時，如果使用內(nèi)電池為1.5V的萬用表可能正向不通。即使使用Rx10K量程也因提供的測試電流太小而不能發(fā)光。較合適的方法是使用內(nèi)電池電壓為3V的萬用表進行直觀的測試。在線測試晶體管的PN結(jié)時如果使用RxK量程正/反向特性不明顯容易誤判。使用Rx10量程將大大改善。總之電阻量程的潛力巨大已經(jīng)有人開拓出hFE測量、電容量測量、同名端測量、各種IC的測量等功能。利用上述經(jīng)驗提高檢測能力，才能在浩如煙海的機器里，查出損壞的元件。