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薄膜鉑熱電阻WZP-3312U
薄膜鉑熱電阻WZP-3312U

產(chǎn)品型號(hào):

所屬分類:鎧裝鉑電阻

產(chǎn)品時(shí)間:2024-07-17

簡(jiǎn)要描述:WZP-3312U|薄膜鉑熱電阻的詳細(xì)介紹
WZP-3312U|薄膜鉑熱電阻
熱電阻的工作原理:在溫度的作用下,電阻絲的電阻隨之變化而變化??捎糜跍y(cè)量 -200℃~﹢800℃范圍內(nèi)的溫度。其優(yōu)點(diǎn)是:偏差極小。由于它的良好電輸出性能,熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調(diào)節(jié)儀、

薄膜鉑熱電阻WZP-3312U

詳情介紹

 

WZP-3312U|薄膜鉑熱電阻6. 精度:等級(jí) α 0℃時(shí)的電阻值(Ω) 允許偏差(Ω) A  0.003851 100.00 ±0.150+0.002t B 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t


薄膜鉑熱電阻WZP-3312U

薄膜鉑熱電阻WZP-3312U

 

 

薄膜鉑熱電阻作為新一代的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)傳感器,通常用來和顯示儀表等配套,以直接測(cè)量各種生產(chǎn)過程中-79℃~600℃范圍內(nèi)液體,蒸汽和氣體介質(zhì)及固定表面等溫度。

 

測(cè)量范圍和準(zhǔn)確度

 

熱電阻類別

分度號(hào)

精度等級(jí)

測(cè)溫范圍℃

允許偏差△t℃

WZP型薄膜鉑熱電阻

Pt100

B級(jí)

-79~600

±(0.3 +0.005︱t︱)

WZP-3312U|薄膜鉑熱電阻

的詳細(xì)介紹

WZP-3312U|薄膜鉑熱電阻

熱電阻的工作原理:在溫度的作用下,電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測(cè)量 -200℃~﹢800℃范圍內(nèi)的溫度。其優(yōu)點(diǎn)是:偏差極小。由于它的良好電輸出性能,熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調(diào)節(jié)儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。
 WZP3312U薄膜鉑熱電阻,WZP-3312U,的詳細(xì)資料:

1.              測(cè)溫范圍、允差

 

名稱

型號(hào)

分度號(hào)

測(cè)溫范圍

等級(jí)

允許偏差

鉑電阻

WZP

Pt100

Pt10

-200~±650℃

A

±(0.15+0.02t)

B

±0.30+0.005t

銅電阻

WZC

Cu50

Cu100

-50~+150℃

 

±(0.30+0.006t)

2.熱響應(yīng)時(shí)間

   在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。

3.自熱影響

鉑電阻允許通過電流1mA,zui大測(cè)量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。

 

4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱值的偏差

 

名稱

等級(jí)

α

α

鉑電阻

A

0.003851

±0.000006

B

±0.000012

銅電阻

 

0.004280

±0.000020

5.絕緣電阻

     當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。

 

薄膜鉑電阻元件

一、         概述

      CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用*激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成,*自動(dòng)的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品*符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。

二、         技術(shù)特點(diǎn)

1.              薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。

2.              鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。

3.              薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。

4.              引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。

5.              規(guī)格:

 

型號(hào)

規(guī)格

長(zhǎng)×寬×高

阻值

測(cè)量電流

精度

測(cè)量范圍

熱響應(yīng)時(shí)間

CRZ-1632

3.2×1.6×1.0

PT100

PT100

≤1mA

A

-50~550℃

≤0.3S

CRZ-2005

5.0×2.0×1.1

PT50

≤2mA

A

-50~400℃

CRZ-2005

5.0×2.0×1.0

PT10

≤0.5mA

B

-50~500℃

6.              精度:

 

等級(jí)

α

0℃時(shí)的電阻值(Ω)

允許偏差(Ω)

A

 0.003851

100.00

±0.150+0.002t

B

0.003851

100.00

±0.30+0.005t



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